ad
posium
Лента
Кадры
Кто рекламируется
Рейтинги
Об издании
Компания
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Упоминается в 1 новости — свежие сверху.
Российские учёные создали пленки диоксида гафния для микроэлектроники
2026-09-23
Все новости рынка